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BZT52C8V2-G RHG Taiwan Semiconductor
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Technische Details BZT52C8V2-G RHG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 350MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±5%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 350 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BZT52C8V2-G RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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BZT52C8V2-G RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: SOD-123 Power - Max: 350 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V |
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BZT52C8V2-G RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: SOD-123 Power - Max: 350 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V |
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BZT52C8V2-G RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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