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BZT52B3V3S RRG TAIWAN SEMICONDUCTOR
![BZT52B2V4S SERIES_H2212.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 3.3V; 5mA; SMD; reel,tape; SOD323F; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323F
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 4.5µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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680+ | 0.11 EUR |
865+ | 0.083 EUR |
3000+ | 0.048 EUR |
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Technische Details BZT52B3V3S RRG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323F, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: SC-90, SOD-323F, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V, Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms, Supplier Device Package: SOD-323F, Power - Max: 200 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V.
Weitere Produktangebote BZT52B3V3S RRG nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.11 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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BZT52B3V3S RRG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Zener; 0.2W; 3.3V; 5mA; SMD; reel,tape; SOD323F; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.2W Zener voltage: 3.3V Zener current: 5mA Mounting: SMD Tolerance: ±2% Kind of package: reel; tape Case: SOD323F Semiconductor structure: single diode Leakage current: 4.5µA |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZT52B3V3S RRG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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BZT52B3V3S RRG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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BZT52B3V3S RRG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V |
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BZT52B3V3S RRG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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