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BYT78-TAP

BYT78-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byt77.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
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Technische Details BYT78-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - BYT78-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.2 V, 250 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-64, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 250ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : Vishay byt77.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
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3000+ 0.58 EUR
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BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : Vishay byt77.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
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138+ 1.04 EUR
165+ 0.84 EUR
250+ 0.8 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.62 EUR
3000+ 0.58 EUR
6000+ 0.54 EUR
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BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : Vishay Semiconductors byt77.pdf Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 100 Amp IFSM
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500+ 0.96 EUR
1000+ 0.79 EUR
2500+ 0.74 EUR
5000+ 0.71 EUR
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BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt77.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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12+ 1.5 EUR
100+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : VISHAY byt77.pdf Description: VISHAY - BYT78-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.2 V, 250 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-64
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : Vishay byt77.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
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BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : Vishay byt77.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
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BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : VISHAY byt77.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 250ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.2V
Leakage current: 150µA
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BYT78-TAP BYT78-TAP Hersteller : VISHAY byt77.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 250ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.2V
Leakage current: 150µA
Reverse recovery time: 250ns
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