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BYT62-TAP

BYT62-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byt62.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 2.4KV 350MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2400 V
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Technische Details BYT62-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVAL 2.4KV 350MA SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 350mA, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2400 V.

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BYT62-TAP BYT62-TAP Hersteller : Vishay Semiconductors byt62.pdf Rectifiers 2400 Volt 350mA 10 Amp IFSM
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BYT62-TAP BYT62-TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt62.pdf Description: DIODE AVAL 2.4KV 350MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2400 V
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