![BYM36E-TAP BYM36E-TAP](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/F4/3E/00/00/0/58191_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=9695d51b78f75d2fa6405adc6df5c2c8cb20f931)
BYM36E-TAP VISHAY
![bym36.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Case: SOD64
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 2.9A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 0.1mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
56+ | 1.3 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BYM36E-TAP VISHAY
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns, Mounting: THT, Kind of package: Ammo Pack, Case: SOD64, Type of diode: rectifying, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Max. off-state voltage: 1kV, Max. forward voltage: 1.28V, Load current: 2.9A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 150ns, Max. forward impulse current: 65A, Leakage current: 0.1mA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BYM36E-TAP nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.04 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYM36E-TAP | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Case: SOD64 Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.28V Load current: 2.9A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Max. forward impulse current: 65A Leakage current: 0.1mA |
auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division |
![]() |
auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
![]() |
BYM36E-TAP | Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |