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Technische Details BYG23M-E3/TR Vishay
Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYG23, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BYG23M-E3/TR nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers RECOMMENDED ALT BYG23M-E3/TR3 |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG23M-E3/TR Produktcode: 51448 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle |
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BYG23M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
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