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BXP12N65F

BXP12N65F BRIDGELUX

BXP12N65.pdf Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Pulsed drain current: 48A
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
57+1.27 EUR
64+1.13 EUR
107+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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Technische Details BXP12N65F BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 7.7A, Power dissipation: 51W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 39nC, Pulsed drain current: 48A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXP12N65F BXP12N65F Hersteller : BRIDGELUX BXP12N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BXP12N65F
Produktcode: 203790
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