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BUZ11-NR4941

BUZ11-NR4941 ON Semiconductor

4513925598849966buz11.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details BUZ11-NR4941 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : onsemi / Fairchild BUZ11_D-2310469.pdf MOSFETs N-Channel 50V 33A
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : onsemi buz11-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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BUZ11-NR4941 Hersteller : ON-Semicoductor buz11-d.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
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BUZ11-NR4941 Hersteller : ON-Semicoductor buz11-d.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
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BUZ11-NR4941 Hersteller : ON-Semicoductor buz11-d.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
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BUZ11-NR4941 Hersteller : ON-Semicoductor buz11-d.pdf N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11
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BUZ11-NR4941
Produktcode: 184234 		buz11-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
JHGF: THT
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