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BUK9Y19-100E,115

BUK9Y19-100E,115 Nexperia

1747122735550930buk9y19-100e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details BUK9Y19-100E,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : Nexperia 1747122735550930buk9y19-100e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : Nexperia 1747122735550930buk9y19-100e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9Y19-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : Nexperia 1747122735550930buk9y19-100e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : Nexperia 1747122735550930buk9y19-100e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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111+1.4 EUR
124+ 1.2 EUR
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250+ 0.88 EUR
500+ 0.75 EUR
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : Nexperia BUK9Y19_100E-2937906.pdf MOSFETs BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9Y19-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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9+2.15 EUR
10+ 1.76 EUR
100+ 1.37 EUR
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : NEXPERIA 1747122735550930buk9y19-100e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Hersteller : Nexperia 1747122735550930buk9y19-100e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y19-100E,115 Hersteller : NEXPERIA BUK9Y19-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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