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BUK9M20-40HX

BUK9M20-40HX Nexperia

buk9m20-40h.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details BUK9M20-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m20-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M20-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m20-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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Mindestbestellmenge: 267
BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m20-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia BUK9M20_40H-1535639.pdf MOSFET BUK9M20-40H/SOT1210/mLFPAK
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M20-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA 2787531.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA 2787531.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA buk9m20-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m20-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m20-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M20-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 48.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M20-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 48.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
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