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BUK9M120-100EX

BUK9M120-100EX Nexperia

1746852666351911buk9m120-100e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details BUK9M120-100EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : Nexperia 1746852666351911buk9m120-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : Nexperia 1746852666351911buk9m120-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : Nexperia 1746852666351911buk9m120-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : Nexperia BUK9M120_100E-1539776.pdf MOSFET BUK9M120-100E/SOT1210/mLFPAK
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M120-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK9M120-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105579-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105579-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : NEXPERIA 1746852666351911buk9m120-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : Nexperia 1746852666351911buk9m120-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M120-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK9M120-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M120-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M120-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK9M120-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
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