BUK7Y72-80EX Nexperia
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Technische Details BUK7Y72-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y72-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.054 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 181mΩ Drain current: 11A Drain-source voltage: 80V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate charge: 9.8nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 63A Application: automotive industry Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 11A; Idm: 63A; 45W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 181mΩ Drain current: 11A Drain-source voltage: 80V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate charge: 9.8nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 63A Application: automotive industry Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y72-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.054 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y72-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.054 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7Y72-80EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET 80V Mosfet N-Channel |
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