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BUK7Y6R0-60EX Nexperia
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Technische Details BUK7Y6R0-60EX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 85A, Pulsed drain current: 482A, Power dissipation: 195W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 45.4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BUK7Y6R0-60EX nach Preis ab 0.88 EUR bis 2.5 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BUK7Y6R0-60EX | Hersteller : Nexperia |
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BUK7Y6R0-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 85A Pulsed drain current: 482A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7Y6R0-60EX | Hersteller : NXP USA Inc. |
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BUK7Y6R0-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 85A Pulsed drain current: 482A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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