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BUK7Y12-40EX

BUK7Y12-40EX Nexperia


3012210084821440buk7y12-40e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details BUK7Y12-40EX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40EX Hersteller : Nexperia 3012210084821440buk7y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40EX Hersteller : Nexperia 3012210084821440buk7y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40EX Hersteller : Nexperia BUK7Y12_40E-2937816.pdf MOSFET BUK7Y12-40E/SOT669/LFPAK
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BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40EX Hersteller : NEXPERIA BUK7Y12-40E.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y12-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 0.0093 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40EX Hersteller : NEXPERIA 3012210084821440buk7y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y12-40EX BUK7Y12-40EX Hersteller : Nexperia 3012210084821440buk7y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y12-40EX Hersteller : NEXPERIA BUK7Y12-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 37A; Idm: 210A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 23.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK7Y12-40EX Hersteller : NEXPERIA BUK7Y12-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 37A; Idm: 210A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 23.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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