BUK7S2R5-40HJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3793 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 3.63 EUR |
| 10+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
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Technische Details BUK7S2R5-40HJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7S2R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 140 A, 0.00216 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 135W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00216ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00216ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BUK7S2R5-40HJ nach Preis ab 1.69 EUR bis 3.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BUK7S2R5-40HJ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88 |
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BUK7S2R5-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S2R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 140 A, 0.00216 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00216ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7S2R5-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S2R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 140 A, 0.00216 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 135W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00216ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00216ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BUK7S2R5-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 140A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7S2R5-40HJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3793 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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