BUK7212-55B,118 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BUK7212-55B,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 185°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote BUK7212-55B,118 nach Preis ab 1.45 EUR bis 2.68 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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BUK7212-55B,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7212-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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BUK7212-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 9169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7212-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 112500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7212-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK Kind of package: reel; tape On-state resistance: 25mΩ Drain current: 59A Drain-source voltage: 55V Case: DPAK Gate charge: 35nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 335A Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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BUK7212-55B,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7212-55B/SOT428/DPAK |
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| BUK7212-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK Kind of package: reel; tape On-state resistance: 25mΩ Drain current: 59A Drain-source voltage: 55V Case: DPAK Gate charge: 35nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 335A Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar |
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