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BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies


infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
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5000+ 0.84 EUR
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz15dc02kdh-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ15DC02KD_H_DataSheet_v02_03_EN-3360961.pdf MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19143 Stücke:
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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BSZ15DC02KDHXTMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors
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