BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSZ110N08NS5ATMA1 nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 25952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V |
auf Bestellung 25043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 |
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