BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5000+ | 0.44 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSZ099N06LS5ATMA1 nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 12950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 54496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V |
auf Bestellung 18360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 167930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 167930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 Produktcode: 165964 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |