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BSV52LT1G ON Semiconductor
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Technische Details BSV52LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote BSV52LT1G nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSV52LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSV52LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSV52LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSV52LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSV52LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 225 mW |
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BSV52LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 25...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSV52LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 25...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSV52LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 18668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSV52LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 23443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSV52LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSV52LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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