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Technische Details BST82,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 53619 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 53619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | MOSFET BST82/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 82835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 30326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 124855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 125215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NXP |
N-MOSFET 190mA 100V 0.83W 10Ω BST82 TBST82 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NXP |
N-MOSFET 190mA 100V 0.83W 10Ω BST82 TBST82 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BST82,215 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BST82,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BST82.215 | Hersteller : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 190mA; 830mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power: 0.83W Case: SOT23 On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD |
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