BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 5.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS84PH6433XTMA1 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSS84PH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V |
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BSS84PH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS84PH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 5.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 162215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84PH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 5.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS84PH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84PH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84PH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V |
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