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BSS84AKM,315

BSS84AKM,315 Nexperia

2119226328278107bss84akm.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN T/R
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Technische Details BSS84AKM,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Hersteller : Nexperia 2119226328278107bss84akm.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN T/R
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BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Hersteller : Nexperia 2119226328278107bss84akm.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN T/R
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BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS84AKM.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS84AKM.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Hersteller : Nexperia BSS84AKM-1509379.pdf MOSFETs BSS84AKM/SOT883/XQFN3
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100+ 0.17 EUR
1000+ 0.11 EUR
2500+ 0.1 EUR
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BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS84AKM,315 Hersteller : NEXPERIA PHGLS22953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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