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Technische Details BSS83P H6327 Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -330mA, Power: 0.36W, Case: SOT23, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| BSS83P H6327 | Hersteller : Infineon |
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BSS83PH6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD |
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