BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS670S2LH6433XTMA1 nach Preis ab 0.082 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V |
auf Bestellung 37686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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