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BSS64,215

BSS64,215 Nexperia

1745557166529442bss64.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS64,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : Nexperia 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS64.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 30
BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : Nexperia BSS64-2937734.pdf Bipolar Transistors - BJT BSS64/SOT23/TO-236AB
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BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : NEXPERIA 1745557166529442bss64.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS64,215 Hersteller : NXP BSS64.pdf NPN 80V 0.1A 250mW 100MHz BSS64,215 BSS64 NXP TBSS64 NXP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Mindestbestellmenge: 500
BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : NEXPERIA BSS64.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60...100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS64.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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BSS64,215 BSS64,215 Hersteller : NEXPERIA BSS64.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60...100MHz
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