![BSS192,115 BSS192,115](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/91e8699c2f1062c8dd2e340531ce0c86ed4841fb/sot089_3d.jpg)
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.25 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
5000+ | 0.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSS192,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS192,115 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 53000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 4604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 5734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
auf Bestellung 4604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
auf Bestellung 44995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Power dissipation: 0.56W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 5nC Drain-source voltage: -240V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain current: -120mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Power dissipation: 0.56W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 5nC Drain-source voltage: -240V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain current: -120mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |