BSS138WT106 Rohm Semiconductor
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Technische Details BSS138WT106 Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote BSS138WT106 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSS138WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
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BSS138WT106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 60V 310mA, SOT-323, Small Signal MOSFET |
auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 3220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138WT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138WT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS138WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
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