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BSS138LT3G

BSS138LT3G ON Semiconductor

bss138lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS138LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS138LT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 5.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.75V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : onsemi bss138lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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243+ 0.29 EUR
311+ 0.23 EUR
412+ 0.17 EUR
640+ 0.11 EUR
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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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611+ 0.24 EUR
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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : onsemi BSS138LT1_D-2310401.pdf MOSFETs 50V 200mA N-Channel
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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : onsemi bss138lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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30+0.6 EUR
44+ 0.41 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.1 EUR
5000+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 30
BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : ONSEMI 2353875.pdf Description: ONSEMI - BSS138LT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 5.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS138LT3G BSS138LT3G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT3G Hersteller : ON SEMICONDUCTOR bss138lt1-d.pdf MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
auf Bestellung 12 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
9+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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