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BSS138LT1G

BSS138LT1G ON

bss138lt1-d-datasheet.pdf
Produktcode: 28421
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.200
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
JHGF: SMD
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BSS138 (CJ, SOT-23) BSS138 (CJ, SOT-23)
Produktcode: 186257 		Hersteller : CJ BSS138-JCET.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
JHGF: SMD
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BSS138 BSS138
Produktcode: 197212 		Hersteller : UMW BSS138_UMW _datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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24000+ 0.06 EUR
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : onsemi bss138lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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3000+0.11 EUR
6000+ 0.098 EUR
9000+ 0.081 EUR
30000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7840 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.36 EUR
246+ 0.29 EUR
275+ 0.26 EUR
344+ 0.21 EUR
432+ 0.17 EUR
493+ 0.15 EUR
1147+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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246+ 0.29 EUR
275+ 0.26 EUR
344+ 0.21 EUR
432+ 0.17 EUR
493+ 0.15 EUR
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : onsemi BSS138LT1_D-2310401.pdf MOSFETs 50V 200mA N-Channel
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : onsemi bss138lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ONSEMI 2353875.pdf Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 94685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ONSEMI 2353875.pdf Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 94685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ONSEMI 2353875.pdf Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bss138lt1-d.pdf N-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5? BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)] BSS138LT1G smd TBSS138L
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 171902 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 200 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 пФ @ 25 В; Rds = 3.5 Ом @ 200 мА, 5 В; Ugs(th) = 1.5 В @ 1 мА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Без свинцю; SOT-23-3
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+0.18 EUR
38+ 0.15 EUR
100+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BSS138LT1G Hersteller : ONS bss138lt1-d.pdf Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=50V; Id=0,2A; Pdmax=0,225W; Rds=3,5 Ohm
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.2 EUR
10+ 0.17 EUR
100+ 0.15 EUR
BSS138LT1G Hersteller : On Semiconductor bss138lt1-d.pdf N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 483 Stücke:
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BSS138LT1G BSS138LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17832		 rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 31089 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0048 EUR
100+ 0.004 EUR
1000+ 0.0034 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BC807-40.215
Produktcode: 105365		 datasheet-bc804-40.pdf
BC807-40.215
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 3589 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4604		 RC_series.pdf
100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 35655 Stück
erwartet: 20000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.005 EUR
100+ 0.0034 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
1 MOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1M-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 27810		 RC_series.pdf
1 MOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1M-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 10721 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0038 EUR
100+ 0.0024 EUR
1000+ 0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRLML6244TRPBF
Produktcode: 87248		 irlml6244pbf-datasheet.pdf
IRLML6244TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 790 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.08 EUR