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BSS123W-7-F

BSS123W-7-F Diodes Zetex

ds30368.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BSS123W-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30368.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30368.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30368.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30368.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED BSS123W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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432+ 0.17 EUR
579+ 0.12 EUR
652+ 0.11 EUR
728+ 0.098 EUR
1208+ 0.059 EUR
1276+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 334
BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED BSS123W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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432+ 0.17 EUR
579+ 0.12 EUR
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728+ 0.098 EUR
1208+ 0.059 EUR
1276+ 0.056 EUR
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30368.pdf MOSFETs 100V 200mW
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30368.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : DIODES INC. 2814346.pdf Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30368.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : DIODES INC. 2814346.pdf Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3920 Stücke:
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BSS123W-7-F BSS123W-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30368.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS123W-7-F Hersteller : DIODES/ZETEX ds30368.pdf N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.15 EUR
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