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Technische Details BSS123 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 243000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.36W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.36W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC |
auf Bestellung 43723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 663703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 243000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : Fairchild |
N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Technology: TRENCH POWER MV Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A On-state resistance: 5.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS123 | Hersteller : Diodes Incorporated | MOSFETs |
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BSS123 | Hersteller : Nexperia | MOSFETs |
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BSS123 | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFETs |
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BSS123 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS123 | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Technology: TRENCH POWER MV Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A On-state resistance: 5.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
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