BSP603S2L Infineon Technologies
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Technische Details BSP603S2L Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 5.2A, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke.
Weitere Produktangebote BSP603S2L
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSP603S2L | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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BSP603S2L | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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