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BSP373NH6327XTSA1

BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP373N_DataSheet_v02_01_EN-3360922.pdf MOSFETs N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSP373NH6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSP373NH6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
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15+ 1.21 EUR
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS26914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP373NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsp373n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1
Produktcode: 118507 		BSP373N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8fc3bcf143f Transistoren > MOSFET N-CH
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