![BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1897/448%3BP_PG-SOT223-4%3B%3B3.jpg)
BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies
![Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSP322PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP322PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP322PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP322PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 10534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP322PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP322PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 35185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSP322PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
BSP322PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|