BSP320SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.9A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 0.12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 106+ | 0.68 EUR |
| 120+ | 0.6 EUR |
| 146+ | 0.49 EUR |
| 154+ | 0.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSP320SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSP320SH6327XTSA1 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP320SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSP320SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3 |
auf Bestellung 20140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSP320SH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
BSP320SH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.8W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
BSP320SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
BSP320SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BSP320SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BSP320SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |