![BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1897/448%3BP_PG-SOT223-4%3B%3B3.jpg)
BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies
![Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.58 EUR |
2000+ | 0.52 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSP317PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.55 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223 Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.43A On-state resistance: 4Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223 Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.43A On-state resistance: 4Ω Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 49381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
BSP317PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |