![BSP19,115 BSP19,115](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/ecd346c486f9d812ab95cad4f375371042d415ac/sot223_3d.jpg)
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Technische Details BSP19,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSP19,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 100 mA, 1.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSP19,115 | Hersteller : Nexperia |
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BSP19,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1.2 W Qualification: AEC-Q101 |
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BSP19,115 | Hersteller : Nexperia |
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BSP19,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1.2 W Qualification: AEC-Q101 |
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BSP19,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.2W Polarisation: bipolar Frequency: 70MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 40 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSP19,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.2W Polarisation: bipolar Frequency: 70MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 40 |
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BSP19,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSP19,115 | Hersteller : NEXPERIA |
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