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BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Name: BSP170PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 20060607-5
Price: 0.31 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Technische Details BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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BSP170PH6327XTSA1

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Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W

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BSP170PH6327XTSA1

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : INFINEON

INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Produktcode: 115573

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f

Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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1000+	0.52 EUR
2000+	0.5 EUR

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_BSP170P_DS_v02_53_en-1731307.pdf

MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

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10+	1.27 EUR
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1000+	0.55 EUR
2000+	0.52 EUR
5000+	0.51 EUR

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V

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16+	1.13 EUR
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500+	0.63 EUR

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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BSP170PH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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