BSP16T1G ON Semiconductor
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Technische Details BSP16T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 15MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.5 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSP16T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP16T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP16T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.5 W |
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BSP16T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 30...120 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Frequency: 15MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSP16T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 30...120 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Frequency: 15MHz |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP16T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 300V PNP |
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BSP16T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.5 W |
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BSP16T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP16T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| BSP16T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSP16T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BSP16T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP16T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP16T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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