BSP135H6433XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4000+ | 0.94 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSP135H6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSP135H6433XTMA1 nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP135H6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3 |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Hersteller : Infineon |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BSP135H6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |