BSP122,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details BSP122,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSP122,115 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs BSP122/SOT223/SC-73 |
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BSP122,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±2V Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.55A On-state resistance: 2.5Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±2V Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.55A On-state resistance: 2.5Ω |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
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BSP122,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSP122,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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BSP122,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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BSP122,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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