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BSM600D12P4G103

BSM600D12P4G103 ROHM Semiconductor

bsm600d12p4g103-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules BSM600D12P4G103 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET
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Technische Details BSM600D12P4G103 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - BSM600D12P4G103 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 567 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 567A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.78kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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BSM600D12P4G103 BSM600D12P4G103 Hersteller : ROHM 3930896.pdf Description: ROHM - BSM600D12P4G103 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 567 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 567A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.78kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BSM600D12P4G103 Hersteller : Rohm Semiconductor bsm600d12p4g103-e.pdf Description: 1200V, 567A, HALF BRIDGE, FULL S
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.78kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 567A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59000pF @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 291.2mA
Supplier Device Package: Module
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