BSM50GD120DN2
Produktcode: 31165
Hersteller: ZCODE: 8541290010
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Technische Details BSM50GD120DN2
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:350W
- Case Style:Econopack 3
- Termination Type:Solder
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Transistors:6
- Power Dissipation Pd:350W
- Pulsed Current Icm:100A
- Typ Voltage Vce Sat:2.5V
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| BSM50GD120DN2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSM50GD120DN2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Case: ECONOPACK 2K Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 350W Mechanical mounting: screw |
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