BSM400C12P3G202 ROHM Semiconductor
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Technische Details BSM400C12P3G202 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.57kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSM400C12P3G202 nach Preis ab 1592.1 EUR bis 1592.1 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSM400C12P3G202 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc) Power Dissipation (Max): 1570W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA Supplier Device Package: Module Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V |
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BSM400C12P3G202 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker euEccn: NLR Verlustleistung: 1.57kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: -Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: -V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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