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BSM300D12P4G101

BSM300D12P4G101 Rohm Semiconductor

bsm300d12p4g101-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SIC 2N-CH 1200V 291A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 925W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 291A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 145.6mA
Supplier Device Package: Module
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Technische Details BSM300D12P4G101 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 291A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925W, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote BSM300D12P4G101 nach Preis ab 1543.94 EUR bis 1547.23 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSM300D12P4G101 BSM300D12P4G101 Hersteller : ROHM Semiconductor bsm300d12p4g101-e.pdf MOSFET Modules BSM300D12P4G101 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET
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BSM300D12P4G101 BSM300D12P4G101 Hersteller : ROHM bsm300d12p4g101-e.pdf Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 291A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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