BSM200GB60DLC
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Technische Details BSM200GB60DLC
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 0.6kV, Collector current: 200A, Case: AG-34MM-1, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 400A, Power dissipation: 730W, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BSM200GB60DLC
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Preis ohne MwSt |
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BSM200GB60DLC Produktcode: 37779 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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BSM200GB60DLC | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 230A 730000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
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BSM200GB60DLC | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 730W Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSM200GB60DLC | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 600V 200A DUAL |
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BSM200GB60DLC | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 730W Mechanical mounting: screw |
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