BSM200GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSM200GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 400A 1660W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 400 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 1660 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSM200GB170DLCHOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| BSM200GB170DLCHOSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GB170DLCHOSA1 - BSM200GB170DL - IGBT MODULEeuEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BSM200GB170DLCHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH |
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| BSM200GB170DLCHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 400A 1660W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1660 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V |
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