BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 944.13 EUR |
| 5+ | 911.63 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 880W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSM180C12P3C202 nach Preis ab 895.57 EUR bis 930.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180C12P3C202 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker euEccn: NLR Verlustleistung: 880W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: -Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: -V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| BSM180C12P3C202 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Power Dissipation (Max): 880W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA Supplier Device Package: Module Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|