BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
Description: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1047.89 EUR |
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Technische Details BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSM180C12P2E202 nach Preis ab 1111.72 EUR bis 1151.37 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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BSM180C12P2E202 | Hersteller : ROHM Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSM180C12P2E202 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 204A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker euEccn: NLR Verlustleistung: 1.36kW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |